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31.
化学工业生产中,用氢气为还原剂,通过选择性加氢可以制备多种重要化学品。5-羟甲基糠醛是重要的生物质基平台化合物,而5-甲基糠醛是用途广泛的化学品。由5-羟甲基糠醛加氢得到5-甲基糠醛是一条非常理想的路径,但是选择性活化C-OH非常困难。本文设计并制备了Pt@PVP/Nb2O5(PVP: 聚乙烯吡咯烷酮)催化剂,该催化体系巧妙地结合了位阻效应、氢溢流和催化剂界面的电子效应,系统研究了该催化剂对5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛催化性能,在最优条件下,5-甲基糠醛的选择性可达92%。利用密度泛函理论计算研究了5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛反应路径。 相似文献
32.
Yi-Tong Xu Tian-Yang Zhang Zheng Li Xiang-Nan Liu Yuan-Cheng Zhu Wei-Wei Zhao Hong-Yuan Chen Jing-Juan Xu 《Electroanalysis》2022,34(6):947-955
Photoelectrochemical (PEC) cytosensors, a combination of the PEC process and the living-cell assay, have emerged as a powerful tool in the analytical and biological science. This mini review provides a brief introduction of this arena and summaries the key steps about the development of PEC cytosensors with representative examples, followed by future prospects based on our own opinions. 相似文献
33.
Asymmetric mode transformation in waveguide is of great significance for on-chip integrated devices with one-way effect, while it is challenging to achieve asymmetric nonlinear-mode-conversion (NMC) due to the limitations imposed by phase-matching. In this work, we theoretically proposed a new scheme for realizing asymmetric NMC by combining frequency-doubling process and periodic PT symmetric modulation in an optical waveguide. By engineering the one-way momentum from PT symmetric modulation, we have demonstrated the unidirectional conversion from pump to second harmonic with desired guided modes. Our findings offer new opportunities for manipulating nonlinear optical fields with PT symmetry, which could further boost more exploration on on-chip nonlinear devices assisted by non-Hermitian optics. 相似文献
34.
In this paper, we study a category of restricted modules for the Ovsienko-Roger algebra, which is an extension of the Virasoro algebra of its tensor density module of degree one. We construct and characterize simple modules in this category and give natural free field realizations of certain restricted modules using the Weyl vertex algebra.
相似文献35.
We propose a lumped element Josephson parametric amplifier with vacuum-gap-based capacitor.The capacitor is made of quasi-floating aluminum pad and on-chip ground.We take a fabrication process compatible with air-bridge technology,which makes our design adaptable for future on-chip integrated quantum computing system.Further engineering the input impedance,we obtain a gain above 20 dB over 162-MHz bandwidth,along with a quasi quantum-limit noise performance.This work should facilitate the development of quantum information processing and integrated superconducting circuit design. 相似文献
36.
Heterostructured MoS2/GPC anode: the synergistic lithium storage performance and lithiation kinetics
Zhang Xia Dong Chaoyang Sun Yangang Liu Binyang Sun Lili Lu Yongjuan Yu Jing Wei Yajun Xu Yuandong 《Journal of Solid State Electrochemistry》2022,26(2):491-501
Journal of Solid State Electrochemistry - Grapefruit peel carbon (GPC) is prepared from waste grapefruit peel and further used as substrate for in situ construction of MoS2 arrays, forming MoS2/GPC... 相似文献
37.
In this article, we construct and analyze a residual-based a posteriori error estimator for a quadratic finite volume method (FVM) for solving nonlinear elliptic partial differential equations with homogeneous Dirichlet boundary conditions. We shall prove that the a posteriori error estimator yields the global upper and local lower bounds for the norm error of the FVM. So that the a posteriori error estimator is equivalent to the true error in a certain sense. Numerical experiments are performed to illustrate the theoretical results. 相似文献
38.
Designs, Codes and Cryptography - The Learning-With-Errors (LWE) problem (and its variants including Ring-LWE and Module-LWE), whose security are based on hard ideal lattice problems, has proven to... 相似文献
39.
40.
本文通过固结磨料球与KDP晶体对磨的单因素试验探究固结磨料球中反应物种类、磨粒浓度、反应物浓度、基体硬度对摩擦系数、磨痕截面积和磨痕处粗糙度的影响,试验结果表明:KHCO3固结磨料球对磨后磨痕对称性好,磨痕处的粗糙度值低;磨痕截面积随磨粒和反应物浓度的增加而增大,随基体硬度的增大而降低;磨痕处粗糙度随磨粒和反应物浓度的增加先降低后上升,随基体硬度的增大先上升后降低;摩擦系数受磨粒和反应物浓度影响不明显,随基体硬度的增大而降低。选择KHCO3作为反应物,Ⅰ基体,磨粒浓度为基体质量的100%,反应物浓度为15%制备固结磨料球与KDP晶体对磨后的磨痕轮廓对称度好且磨痕处粗糙度值低,以该组分制备固结磨料垫干式抛光KDP晶体,可实现晶体表面粗糙度Sa值为18.50 nm,材料去除率为130 nm/min的高效精密加工。 相似文献